2～4μm中红外锑化物半导体激光器研究进展（特邀）

杨成奥; 张一; 尚金铭; 陈益航; 王天放; 佟海保; 任正伟; 张宇; 徐应强; 牛智川

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2～4μm波段是非常重要的红外大气窗口,工作在这个波段的激光器在气体检测,医疗美容和工业加工领域具有十分巨大的应用价值。锑化物半导体材料低维结构具有窄禁带直接跃迁发光的独特优势,是实现中红外波段半导体激光器的理想材料体系。近年来,国内外锑化物半导体激光器研究不断取得重要进展,先后实现了量子阱发光的波长拓展、大功率单管和阵列激光器的室温连续激射,也实现了多波段的单模激光器的室温连续工作。锑化物半导体低维材料组分复杂、界面钝化性质特殊,材料外延和工艺制备技术难度较大。文中从锑化物半导体激光器的基本原理出发,综述了国内外研究现状,介绍了锑化物材料低维结构激光器的设计方案、关键制备技术的主要进展,分析了今后该类激光器性能优化的重点研发方向等。

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来源
《红外与激光技术》 |2020年第12期|163-171|共9页
作者
杨成奥; 张一; 尚金铭; 陈益航; 王天放; 佟海保; 任正伟; 张宇; 徐应强; 牛智川;
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作者单位

1. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 2. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
锑化镓; 量子阱半导体激光器; 红外激光器;

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