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马腾; 苏丹丹; 周航; 郑齐文; 崔江维; 魏莹; 余学峰; 郭旗;
1. 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室 3. 中国科学院大学;
场效应晶体管; 可靠性; 栅氧经时击穿; γ射线;
机译:研究高能重离子辐照导致部分耗尽的SOI器件的潜在可靠性下降
机译:130 nm部分耗尽的SOI CMOS技术中富硅浅沟槽隔离对总电离剂量硬化和栅极氧化物完整性的影响
机译:2-MeV电子辐照对部分耗尽的SOI n-MOSFET的背栅退化的影响
机译:深亚微米双栅全耗尽SOI MOS器件的阈值电压模型
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:在改进的晶片上制造的130nm部分耗尽的SOI PMOSFET中由热载体注射诱导的降解
机译:在恶劣环境中的双栅sOI / mOs器件和电路
机译:制造完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)器件的方法
机译:完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)组合器件
机译:横向薄膜绝缘体上硅(SOI)器件,其具有用于耗尽一部分漂移区的横向耗尽装置
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