246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制

颜廷静; 种明; 赵德刚; 张爽; 陈良惠

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设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225～255 nm,峰值波长为246nm。材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%。零偏压下测得的暗电流为27 pA,光电流为2.7 nA,峰值响应度为23 mA/W。并在此基础上制备出大面阵太阳盲紫外探测器芯片,其像元数为128×128,光敏元直径为44μm,像元间距为50μm。

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来源
《红外与激光技术》 |2011年第1期|32-35|共4页
作者
颜廷静; 种明; 赵德刚; 张爽; 陈良惠;
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作者单位

1. 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 2. 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类紫外技术及仪器;
关键词
AlGaN; 太阳盲; 紫外探测器; 面阵;

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