基于AlGaN/GaN场效应晶体管的太赫兹焦平面成像传感器

罗木昌; 孙建东; 张志鹏; 李想; 申志辉; 王颖; 陈红兵; 董绪丰; 张金峰; 陈扬; 周建勇; 秦华

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基于AlGaN/GaN场效应晶体管的太赫兹焦平面成像传感器

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太赫兹波成像技术在人体安检、医学成像、无损检测等领域具有广泛的应用前景。文中面向高速、高灵敏度和便携式太赫兹成像应用需求,设计实现了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频检测机制的太赫兹焦平面成像传感器。该焦平面成像传感器由探测器阵列芯片和CMOS读出电路通过倒装互连实现,阵列规模达到32×32。探测器阵列中具有对管差分功能的像元设计通过提高探测器的电压响应度和抑制共模电压噪声,提高了焦平面成像的灵敏度。焦平面成像传感器的输出模拟信号通过片外的模数转换（ADC）芯片转化为数字信号,由现场可编程门阵列（FPGA）采集后通过Camera Link图像数据与通信接口发送到计算机。利用该焦平面成像传感器,演示实现了太赫兹光斑、太赫兹干涉环和太赫兹光照下的旋转塑料叶片的视频成像,帧频达到30 Hz。

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来源
《红外与激光技术》 |2018年第3期|243-248|共6页
作者
罗木昌; 孙建东; 张志鹏; 李想; 申志辉; 王颖; 陈红兵; 董绪丰; 张金峰; 陈扬; 周建勇; 秦华;
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作者单位

1. 重庆光电技术研究所 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中国科学院纳米器件与应用重点实验室 3. 中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
太赫兹自混频探测器; 高电子迁移率晶体管; CMOS读出电路; 焦平面成像;

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