In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点的形貌和光学性质

杨晓杰; 马文全; 陈良惠

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In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点的形貌和光学性质

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提出了利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点。实验结果表明,随着耦合量子点中的GaAs隔离层厚度从2 nm增加到10 nm,In0.5Ga0.5As量子点的密度增大、均匀性提高,Al原子扩散和浸润层对量子点PL谱的影响被消除,而且InAlAs材料的宽禁带特征使其成为InGaAs量子点红外探测器中的暗电流阻挡层。由此可见,选择合适的GaAs隔离层厚度形成InGaAs/InAlAs应变耦合量子点将有益于InGaAs量子点红外探测器的研究。

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来源
《红外与激光工程》 |2007年第5期|705-707714|共3页
作者
杨晓杰; 马文全; 陈良惠;
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作者单位

中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室;

中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室;

中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083;

北京100083;

北京100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;红外探测、红外探测器;
关键词
量子点; 应变耦合; 光荧光谱;

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