在Si（211）衬底上分子束外延CdTe的剪切应变

著录项

• 来源
  《红外与激光工程》 |2006年第4期|429-431494|共3页
• 作者

  王元樟; 陈路; 巫艳; 吴俊; 于梅芳; 方维政; 何力;

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• 作者单位

  中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心;

  中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心;

  中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心;

  中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心;

  中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心;

  中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心;

  中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心 上海200083;

  中国科学院研究生院;

  北京100039;

  上海200083;

  上海200083;

  上海200083;

  上海200083;

  上海200083;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 薄膜的生长、结构和外延;
• 关键词

  CdTe/Si; 倒易点二维扫描图; 剪切应变; 分子束外延;