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非晶硅CCD列阵图像传感器的设计考虑

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文中讨论了非晶硅光电二极管及CCD器件的设计考虑。用α－Si：H光电二极管构成CCD器件的光敏元，提高了光敏单元填充因子，并提出了图像传感器的结构和制作工艺。

著录项

来源
《红外与激光技术》 |1997年第6期|46-51|共6页
作者
张坤; 温志渝;
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作者单位

重庆光电技术研究所!重庆;

630060;

重庆大学光机系!重庆;

630060;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP212;
关键词
非晶硅; 光电二极管; 电荷耦合器件; 图像传感器;

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