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宋福英;
无;
掺杂; 磁输运特性; 外延生长; 半导体结; 锑化铟;
机译:低温同质外延生长产生的p型4H-SiC欧姆接触形成重掺杂铝外延层
机译:低温同质外延生长产生p型4H-SiC欧姆接触形成重掺杂铝外延层
机译:氮离子掺杂的外延生长在ZnSe衬底上生长的氮掺杂p型ZnO薄膜和ZnO / ZnSe p-n异质结
机译:通过分子束外延生长InSb和AlxIn1-xSb层的同质和异质外延生长
机译:分子束外延生长外延汞碲化镉薄膜中砷的掺入和P型掺杂的研究。
机译:异质结太阳能电池中间缓冲层的Cu掺杂对半导体ZnTe薄膜中p型载流子的显着影响和带隙的减小
机译:通过金属有机气相外延生长的Gasb和Ga {sub 0.8} In {sub 0.2} sb层中的p型和N型掺杂
机译:通过金属有机气相外延生长的Gasb和Ga(sub 0.8)In(sub 0.2)sb层中的p型和N型掺杂
机译:晶闸管点火灵敏度调节方法,涉及在半导体主体中依次布置p型掺杂发射极,n型掺杂基极,p型掺杂基极和n型掺杂主发射极。
机译:评估硼掺杂的p型硅晶片中的金属污染的方法,评估硼掺杂的p型硅晶片中的金属污染的装置以及制造硼掺杂的p型硅晶片的方法
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