3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究

林占文; 韩福忠; 耿松; 李雄军; 史琪; 王向前

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3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究

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针对大面积碲镉汞表面钝化膜的应力问题,基于磁控溅射技术在3 in Ge基碲镉汞表面采用不同工艺条件沉积了ZnS钝化膜,并对其进行了退火处理.利用台阶仪和原子力显微镜(AFM)对ZnS钝化膜的应力及表面形貌进行了表征分析,结果表明:在磁控溅射方法中适当提高沉积温度和降低溅射功率,有效降低了ZnS钝化膜应力,平均应力由原来的924 MPa减小到749 MPa,且提高了应力分布均匀性;此外,退火处理有效降低了钝化膜的应力,并改善了ZnS薄膜的晶粒大小一致性和致密度.该研究为减小大尺寸碲镉汞表面钝化膜应力提供了思路.

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来源
《红外技术》 |2018年第4期|322-326|共5页
作者
林占文; 韩福忠; 耿松; 李雄军; 史琪; 王向前;
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作者单位

昆明物理研究所,云南昆明 650223;

昆明物理研究所,云南昆明 650223;

昆明物理研究所,云南昆明 650223;

昆明物理研究所,云南昆明 650223;

昆明物理研究所,云南昆明 650223;

昆明物理研究所,云南昆明 650223;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
表面钝化; ZnS钝化膜; 钝化膜应力; 退火; AFM; 锗衬底; 碲镉汞;

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