RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺

曲海成; 李艳辉; 苏栓; 杨春章; 谭英; 高丽华; 王善力

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RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺

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在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究.通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结晶的变化规律,为MBE生长HgCdTe薄膜实验的可控生长提供有效帮助;生长结束后,通过SEM、Hall等手段对HgCdTe的表面缺陷、电学参数等性能进行了初步研究,证明实验说成长的材料基本满足器件制备的要求.

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来源
《红外技术》 |2008年第12期|688-692|共5页
作者
曲海成; 李艳辉; 苏栓; 杨春章; 谭英; 高丽华; 王善力;
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作者单位

昆明物理研究所,云南昆明,650223;

昆明物理研究所,云南昆明,650223;

昆明物理研究所,云南昆明,650223;

昆明物理研究所,云南昆明,650223;

昆明物理研究所,云南昆明,650223;

昆明物理研究所,云南昆明,650223;

昆明物理研究所,云南昆明,650223;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外光学材料;
关键词
分子束外延; HgCdTe; 反射式高能电子衍射仪; 脱氧; 温度;

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