论碲镉汞光电二极管的暗电流(上)

王忆锋; 毛京湘; 刘黎明; 王丹琳

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论碲镉汞光电二极管的暗电流(上)

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对于工作在1～30μm波段的各种红外光电探测器来说,碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)已经成为最重要的一种半导体材料.为了获得最优的性能,MCT探测器的暗电流必须降至最小.主要根据近年来的部分英文文献,从基本概念入手,介绍了有关MCT光电二极管暗电流研究的发展情况,并讨论了对于MCT光电二极管暗电流有关问题的理解和体会.

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来源
《红外》 |2012年第8期|1-8|共8页
作者
王忆锋; 毛京湘; 刘黎明; 王丹琳;
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作者单位

昆明物理研究所,云南昆明650223;

昆明物理研究所,云南昆明650223;

昆明物理研究所,云南昆明650223;

昆明物理研究所,云南昆明650223;

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正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
碲镉汞; 光电二极管; 红外探测器; 暗电流;

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