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一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法

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摘要

本发明涉及一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法，其中碲镉汞芯片退火装置包括：底座，底座上设置有第一支撑臂、第二支撑臂，第一支撑臂、第二支撑臂以及底座形成了容纳腔；盖板，盖板设置在第一支撑臂和第二支撑臂远离底座的一侧，分别与第一支撑臂和第二支撑臂连接，用于覆盖容纳腔；放置盘，放置盘设置在远离底座一侧，放置盘用于放置待退火碲镉汞芯片，通过在容纳腔上设置盖板与放置盘，并通过放置盘来放置待退火的碲镉汞芯片，进而使得退火炉膛内的温度可以均匀的传导到放置盘上，进而使得放置盘上的待退火碲镉汞芯片能够均匀散热，避免了碲镉汞芯片不同位置的温度有一定的差异，进而影响碲镉汞芯片的退火效果的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN114093795A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十一研究所;

    申请/专利号CN202111237291.2

  • 发明设计人 王鑫;祁娇娇;吴卿;

    申请日2021-10-21

  • 分类号H01L21/673(20060101);H01L31/18(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/477(20060101);

  • 代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;

  • 代理人田卫平

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

  • 入库时间 2023-06-19 14:15:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/673 专利申请号:2021112372912 申请日:20211021

    实质审查的生效

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