GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制

苗振华; 龚政; 方志丹; 倪海侨; 牛智川

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采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构.InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件如衬底温度、生长速率和InAs层厚度等,对InAs表面形貌有很大的影响.低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争.

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来源
《红外》 |2004年第9期|1-5|共5页
作者
苗振华; 龚政; 方志丹; 倪海侨; 牛智川;
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作者单位

中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类特种结构材料;
关键词
分子束外延; 表面形貌; AFM;

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