基于HgCdTe薄膜和GaAs/AlGaAs多量子阱的红外光电探测器列阵

高国龙

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基于HgCdTe薄膜和GaAs/AlGaAs多量子阱的红外光电探测器列阵

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@@ 俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所设计并制作了若干用于3μm～12μm光谱范围的光电探测器组件.这些光电探测器组件都是以用分子束外延方法生长的Hg1-xCdxTe/GaAs异质结构和GaAs/AlGaAs多量子阱结构为基础的,其HgCdTe光敏层长在带CdZnTe中间缓冲层的GaAs衬底上.为了减少表面对复合过程的影响,生长了增加表面组分的渐变带隙HgCdTe层.

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来源
《红外》 |2002年第6期|28-33,46|共7页
作者
高国龙;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术、激光技术;
关键词
多量子阱; 碲镉汞薄膜; 砷化镓; 砷铝镓三元化合物; HgCdTe薄膜; GaAs／AlGaAs; 红外光电探测器列阵;

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