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【2h】

Deep-level Transient Spectroscopy of GaAs/AlGaAs Multi-Quantum Wells Grown on (100) and (311)B GaAs Substrates

机译：在（100）和（311）B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱

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Si-doped GaAs/AlGaAs multi-quantum wells structures grown by molecular beam epitaxy on (100) and (311)B GaAs substrates have been studied by using conventional deep-level transient spectroscopy (DLTS) and high-resolution Laplace DLTS techniques. One dominant electron-emitting level is observed in the quantum wells structure grown on (100) plane whose activation energy varies from 0.47 to 1.3 eV as junction electric field varies from zero field (edge of the depletion region) to 4.7 × 106 V/m. Two defect states with activation energies of 0.24 and 0.80 eV are detected in the structures grown on (311)B plane. The Ec-0.24 eV trap shows that its capture cross-section is strongly temperature dependent, whilst the other two traps show no such dependence. The value of the capture barrier energy of the trap at Ec-0.24 eV is 0.39 eV.
机译：通过使用常规深层瞬态光谱法（DLTS）和高分辨率Laplace DLTS技术研究了通过分子束外延在（100）和（311）B GaAs衬底上生长的Si掺杂的GaAs / AlGaAs多量子阱结构。在（100）平面上生长的量子阱结构中观察到一个主要的电子发射能级，其随着结电场从零场（耗尽区的边缘）变化到4.7×10 ，其激活能从0.47到1.3 eV变化。 6 V / m。在（311）B平面上生长的结构中检测到两个活化能为0.24和0.80 eV的缺陷状态。 Ec-0.24 eV阱显示其捕获截面与温度密切相关，而其他两个阱则无此依赖性。陷阱的捕获势垒能量在Ec-0.24 eV时的值为0.39 eV。

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