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基于不同浓度PVA为绝缘层有机层为PCBM的有机场效应晶体管的分析

         

摘要

阐述了制备器件结构从下到上依次为氧化铟锡玻璃基底、PV A为绝缘层、PCBM为有机层、铝为源漏电极的有机场效应晶体管(OFET).研究不同浓度的溶液PVA绝缘层对OFET的影响.实验证明40mg/ml的PVA溶液制备绝缘层时对OFET性能有所改善.

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