...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Fibres & textiles in Eastern Europe >Possibility of the Application of Low Temperature Plasma for the Deposition of a Poly pyrrole Insulating Layer to Construct a Textile-Based Organic Field Effect Transistor
【24h】

Possibility of the Application of Low Temperature Plasma for the Deposition of a Poly pyrrole Insulating Layer to Construct a Textile-Based Organic Field Effect Transistor

机译：应用低温等离子体沉积聚吡咯绝缘层以构建基于纺织品的有机场效应晶体管的可能性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The aim of the study was to demonstrate the idea of using the low temperature plasma technique for depositing a thin flexible polypyrrole insulating layer on a Cu monofilament, which plays the role of the gate in a fibrous organic thin film transistor. The active layer was composed of pentacene deposited using the thermal sublimation method. The main focus of the research was the selection of the plasma process conditions, such as the time of deposition, the pressure of polymer vapour as well as the power needed to guarantee the optimal thickness of the layer, its smoothness and uniformity. The characteristics of the drain current - drain voltage obtained for the optimal thickness of the polypyrrole electro-insulating layer - in the range ofO. 56-0.88 μm indicate a good field effect, expressed in the modulation of the drain current by the gate voltage and limited value of the leakage current. The results obtained for a cylindrical transistor are comparable to the classical planar OFET's.%Celem przeprowadzonych badań było przedstawienie zastosowania techniki plazmy niskotemperaturowej do depozycji cienkiej, elastycznej polipyrolowej warstwy izolacyjnej naniesionej na miedziany monofilament, która może stanowić bramkę w budowie tranzystorów na włóknie. Warstwę aktywną wykonano na drodze depozycji pentacenu metodą termicznej subłimacji. Badania skoncentrowano głównie na doborze parametrów procesu plazmowa-nia: czasie depozycji, ciśnieniu par monomeru i mocy, takich które gwarantują optymalną grubość, gładkość oraz równomierność warstwy. Na podstawie wykonanych charakterystyk napięciowych tranzystora, dla optymalnych grubości warstw 0.56 - 0.88 firn, stwierdzono dobry efekt polowy wyrażony modulowaniem prądu tranzystora przez napięcie bramki oraz ograniczeniem prądu upływu. Rezultaty otrzymane dla tranzystorów cylindrycznych są porównywalne dla klasycznych płaskich tranzystorów organicznych.
机译：该研究的目的是证明使用低温等离子体技术在铜单丝上沉积薄的柔性聚吡咯绝缘层的想法，铜单丝在纤维有机薄膜晶体管中起着栅极的作用。活性层由使用热升华法沉积的并五苯组成。研究的主要重点是等离子工艺条件的选择，例如沉积时间，聚合物蒸汽的压力以及保证最佳层厚度，光滑度和均匀性所需的功率。漏极电流的特性-对于聚吡咯电绝缘层的最佳厚度获得的漏极电压-在0的范围内。 56-0.88μm表示良好的场效应，用栅极电压和漏电流的限制值对漏极电流进行调制来表示。用于圆柱形晶体管所获得的结果是可比的经典平面OFET的。％切莱姆przeprowadzonych巴丹byłoprzedstawienie zastosowania TECHNIKI plazmy niskotemperaturowej做depozycji cienkiej，elastycznej polipyrolowej warstwy izolacyjnej naniesionej呐miedziany单丝，któramożestanowićbramkę瓦特budowietranzystorów呐włóknie。 Warstwęaktywnąwykonano na drodze depozycji pentacenumetodątermicznejsubłimacji。 Badania skoncentrowanogłówniena doborzeparametrówprocesu plazmowa-nia：czasie depozycji，ciśnieniuparomeru i mocy，takichktóregwarantująoptymalnągrubość，gładkośćorazrównomiwynostst。 Na podstawie wykonanych charakterystyknapięciowychtranzystora，dla optymalnychgrubościwarstw 0.56-0.88 firn，stwierdzono dobry efekt polowywyrażonymodulowaniemprądutranzystora przeznapięzenbram。推荐您在cylindrycznych或porwnwnywalne dla klasycznych上购买tranzystorówOrganicznych。

著录项

  • 来源
    《Fibres & textiles in Eastern Europe》 |2011年第1期|p.778-83|共7页
  • 作者

    Izabella Krucinska; Wieslawa Urbaniak-Domagala; Magdalena Skoneczna; Piero Cosseddu; Annalisa Bonfiglio;

  • 作者单位

    Technical University of Lodz,Faculty of Material Technologies and Textile Design,Department of Fibre Physics and Textile Metrology,Centre of Advanced Technologies of Human-friendly Textiles 'Pro Humano Tex'ul. Zeromskiego 116, 90-924 Lodz, Poland;

    Technical University of Lodz,Faculty of Material Technologies and Textile Design,Department of Fibre Physics and Textile Metrology,Centre of Advanced Technologies of Human-friendly Textiles 'Pro Humano Tex'ul. Zeromskiego 116, 90-924 Lodz, Poland;

    Technical University of Lodz,Faculty of Material Technologies and Textile Design,Department of Fibre Physics and Textile Metrology,Centre of Advanced Technologies of Human-friendly Textiles 'Pro Humano Tex'ul. Zeromskiego 116, 90-924 Lodz, Poland;

    Department of Electrical and Electronic Engineering (DIEE),University of Cagliari Piazza d'Armi,09123 Cagliari, Italy, and INFM-CNR,Via Campi 213/A, 41100 Modena, Italy;

    Department of Electrical and Electronic Engineering (DIEE),University of Cagliari Piazza d'Armi,09123 Cagliari, Italy, and INFM-CNR,Via Campi 213/A, 41100 Modena, Italy;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    textile transistor; polypyrrole layer; low-temperature plasma;

    机译：纺织晶体管聚吡咯层;低温等离子体;

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号