表面微机械加工的高长宽比矩形薄膜压力传感器

张艳敏; 王权; 李昕欣

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表面微机械加工的高长宽比矩形薄膜压力传感器

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设计了表面微机械加工的高长宽比矩形薄膜压力传感器芯片,采用由低压化学气相沉积法(LPCVD)制备的低应力氮化硅(LS SiN)薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层,多晶硅薄膜淀积在LS SiN薄膜上,通过结构和位置的优化设计,干法腐蚀制作形成力敏电阻条.制作了压力量程从60 kPa到1 MPa的传感器芯片.试验测试了量程60 kPa压力传感器的长期稳定性,结果表明在室温环境下时,压力传感器显示了较稳定的长时输出,且用LPCVD低温二氧化硅密封的真空参考压力腔没有泄漏问题出现.该超小型传感器制造成本低,具有广泛应用的前景.

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来源
《仪表技术与传感器》 |2014年第2期|14-15,19|共3页
作者
张艳敏; 王权; 李昕欣;
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作者单位

江苏大学机械工程学院,江苏镇江212013;

江苏大学机械工程学院,江苏镇江212013;

传感技术国家重点实验室,上海200050;

传感技术国家重点实验室,上海200050;

中科院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
绝对压力传感器; 表面微机械加工; 矩形膜; 压阻; 芯片; 长期稳定性;

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