高压静电场胁迫对甘草生长过程中RNA的影响

李倩; 郭九峰; 高海荣

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高压静电场胁迫对甘草生长过程中RNA的影响

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为探究高压静电场对甘草生长过程中RNA含量的影响,本试验以甘草幼叶、嫩茎和种子为研究材料,依次采用十二烷基苯磺酸钠(SDS)法、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)法、异硫氰酸胍(Trizol)法提取甘草幼叶、嫩茎、种子的RNA,并进行比较分析.并通过紫外分光光度法,分析检测经不同强度高压静电场(0、12、15、18 kV)处理之后生长过程中甘草不同组织RNA含量.结果表明,3种方法均能从甘草中提取出RNA.SDS法是适用于甘草组织RNA提取的最佳方法.经不同强度高压静电场处理,甘草RNA含量增加,降解含量降低.高压静电场影响最明显的是处理电场强度为18 kV时,甘草生长9 d时,RNA含量最高.本研究初步探究了高压静电场对甘草生长过程中RNA含量的影响,为甘草RNA的研究和高压静电场与分子生物学的研究提供了基础参考.

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来源
《江苏农业科学》 |2020年第13期|76-80|共5页
作者
李倩; 郭九峰; 高海荣;
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作者单位

内蒙古大学物理科学与技术学院 /离子束生物工程重点实验室内蒙古呼和浩特 010020;

内蒙古大学物理科学与技术学院 /离子束生物工程重点实验室内蒙古呼和浩特 010020;

内蒙古大学生命科学学院内蒙古呼和浩特 010020;

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正文语种 chi
中图分类 S567.7+10.1;
关键词
甘草; 高压静电场; RNA提取; SDS法; RNA含量;

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