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W/O法控制合成硫化汞纳米晶的研究

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摘要

在反相胶束体系中,通过反应条件的控制,成功地合成出形状较规则、分布较均匀、粒径在25-45 nm之间类球形的半导体HgS纳米晶.电子衍射、X射线衍射测定表明,产物纯度很高,具立方结构.紫外-可见和荧光光谱发现,纳米材料HgS与体相相比发生了显著地"蓝移".

著录项

来源
《安庆师范学院学报（自然科学版）》|2005年第3期|35-37|共3页
作者
杨小红; 王瑞侠; 伍光辉;
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作者单位

池州师范专科学校,化学系,安徽,池州,247000;

池州师范专科学校,化学系,安徽,池州,247000;

池州师范专科学校,化学系,安徽,池州,247000;

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正文语种 chi
中图分类高分子物理和高分子物理化学;
关键词
纳米晶; 反相胶束法; 控制合成;

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