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异质结构; 原子级; 半导体器件; 外延技术; 二硫化物; 过渡金属; 研究人员; 分层结构;
机译:下一代半导体清洗技术:MFI清洗技术/用于45纳米或更高版本的先进半导体器件的设备清洗工艺
机译:Si1-xGex应变层上的外延Gd2O3,用于下一代互补金属氧化物半导体器件应用
机译:用于下一代互补金属氧化物半导体器件应用的应变Si_(1-x)Ge_x层上的外延Gd_2O_3
机译:使用原子层沉积对工程复合高k电介质薄膜,用于在下一代半导体器件中的最佳性能
机译:磁性铁氧体与宽带隙半导体6H-碳化硅的分子束外延集成,用于下一代微波和自旋电子器件
机译:使用导电原子力显微镜快速准确无损地诊断纳米级半导体器件中的接触故障
机译:用于器件应用的金属有机化学气相沉积异质外延生长3-5个半导体化合物。最终报告,1983年10月至1987年8月。
机译:使用循环选择性外延生长技术制造半导体器件的方法以及使用该半导体器件形成的半导体器件
机译:通过外延生长技术制造的半导体异质结器件
机译:原子力显微镜系统,用于映射位于半导体器件中的一个或多个地下结构的方法,或用于在半导体器件中监测光刻参数以及使用这种原子力显微镜系统
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