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公开/公告号CN106575670B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201480081257.2
发明设计人 S·达斯古普塔;H·W·田;B·舒-金;M·拉多萨夫列维奇;S·K·加德纳;H·宋;R·皮拉里塞泰;R·S·周;
申请日2014-09-18
分类号H01L29/778(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人林金朝;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 11:16:52
机译: 具有倾斜侧壁小面的纤锌矿异质外延结构,用于硅CMOS兼容半导体器件中的缺陷传播控制
机译: 具有倾斜的侧壁切割面的纤锌矿异质外延结构,可用于硅CMOS兼容半导体器件中的缺陷传播控制
机译: 具有倾斜侧壁面的CMOS WURTZITE异质外延结构,可用于硅CMOS兼容半导体器件中的缺陷传播控制
机译:纤锌矿型GaN外延层中扩展缺陷的原子结构[综述]
机译:蓝宝石和具有金刚石和闪锌矿结构的半导体衬底上的A〜(II)B〜(VI)半导体异质外延层的一般取向特性(A〜(III)B〜V)
机译:纤芯纤锌矿(Zn,Mg)O异质外延纳米线的结构和光学性质
机译:外延硅和Gd_2O_3异质结构-具有应力管理功能的分布式硅反射镜,用于硅发光器件上的GaN
机译:用于器件应用的新型二氧化钒/硅和二氧化钒/蓝宝石外延薄膜异质结构中的半导体到金属的过渡控制。
机译:在基于纤锌矿GaN的量子阱异质结构中通过具有高群速度的界面光子进行电子散射
机译:非极性和半极性取向的异质外延纤锌矿半导体膜的结构特性
机译:异质结构单晶硅光伏电池:扩展。 a型,半导体异质结硅器件。最终报告,1978年5月15日 - 1978年8月10日