化合物半导体异质外延层中的缺陷

朱健; 施天生

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本文报道了用MBE方法在Si(100)上生成GaAs和用MOCVD方法在GaAs(100)上生成CdTe的异质外延层中的某些缺陷。用JEM-4000EX和JEM-200CX电镜观察,电子束沿晶体的[011]方向入射,观察到的晶体缺陷运用高分辨像和选区衍射技术进行研究和分析。结果表明CdTe/GaAs中主要缺陷是失配位错及微孪晶,而在GaAs/Si中还含有反相无序。

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来源
《分析测试学报》 |1990年第5期|72-73|共2页
作者
朱健; 施天生;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
异质外延层; 化合物半导体; 缺陷;

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