首页> 中文期刊> 《应用光学》 >高质量氮化镓材料的光致发光研究

高质量氮化镓材料的光致发光研究

         

摘要

The high quality GaN epilayers grown on (0001) sapphire substrates using a modified home-made gas source MBE system are investigated by room and low temperature photoluminescence(PL).The origins of the different peaks in the PL spectra of the high quality GaN films are systematically analyzed,and the origin of always observed strong yellow luminescence centered at 2.2eV is studied.%利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及其起源,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。

著录项

  • 来源
    《应用光学》 |2001年第2期|35-38|共4页
  • 作者单位

    西北大学光子学与光子技术研究所;

    陕西西安 710069;

    中国科学院半导体研究所材料中心;

    北京 100083;

    中国科学院半导体研究所材料中心;

    北京 100083;

    中国科学院半导体研究所材料中心;

    北京 100083;

    中国科学院半导体研究所材料中心;

    北京 100083;

    中国科学院半导体研究所材料中心;

    北京 100083;

    中国科学院半导体研究所材料中心;

    北京 100083;

    中国科学院半导体研究所材料中心;

    北京 100083;

    中国科学院西安光学与精密机械研究所;

    陕西西安 710068;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 O432.1+2-34;
  • 关键词

    氮化镓; 光致发光; 分子束外延;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号