氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究

沈龙海; 富松; 石广立

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氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究

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采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究.结果表明:所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右.在GaN纳米粒子的PL谱中,中心在357 nm的发射源于本征发光,中心在385 nm的发射带源于浅施主能级到价带的辐射复合,中心在560 nm左右的发射带源于浅施主能级到深受主能级间的施主-受主对辐射发光.

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来源
《发光学报》 |2014年第5期|585-588|共4页
作者
沈龙海; 富松; 石广立;
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作者单位

沈阳理工大学理学院,辽宁沈阳110159;

沈阳理工大学理学院,辽宁沈阳110159;

沈阳理工大学理学院,辽宁沈阳110159;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体晶体物理;发光学;
关键词
GaN纳米粒子; 直接氮化法; 光致发光;

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