超高速发光二极管

孙有林

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＜正＞日本电气株式会社在1984年研制成功了超高速发光二极管。这种二极管在结构上增加了一层结晶层,把注入电流时影响高速响应的“寄生容量”降到了原来的十分之一。发光孔径、各层厚度及杂质的掺杂量都设计成最佳状态。其特性:面发光型发光二极管;发光波长为1.3μm,光纤结合输出;调制速度为20亿波特/S（NRZ）。其结构见下面剖面图。

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来源
《应用光学》 |1985年第5期|6-6|共1页
作者
孙有林;
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