超薄LiTaO3晶片的键合减薄技术

刘军汉; 刘卫国

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超薄LiTaO3晶片的键合减薄技术

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在制造红外热释电探测器阵列过程中,需要利用超薄钽酸锂(LiTaO3)晶片作为红外热释电探测器件的敏感层.通常LiTaO3晶片的厚度远厚于红外热释电探测器件要求的厚度,所以需要采用键合减薄技术对LiTaO3晶片进行加工处理.键合减薄技术主要包括:苯并环丁烯(BCB)键合、铣磨、抛光、加热剥离、刻蚀BCB.加工后得到面积为10mm×10mm、厚度为25μm的超薄单晶LiTaO3薄膜,晶片厚度、表面粗糙度和面形精度比较理想.测得了LT晶片减薄后的热释电系数为1.6×10-4Cm-2K-1.得到的单晶LiTaO3薄膜满足红外热释电探测器敏感层的要求.

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来源
《应用光学》 |2007年第6期|769-772|共4页
作者
刘军汉; 刘卫国;
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作者单位

西安工业大学;

光电微系统研究所;

陕西;

西安;

710032;

华中光电技术研究所;

湖北;

武汉;

430074;

西安工业大学;

光电微系统研究所;

陕西;

西安;

710032;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
红外热释电探测器; LiTaO3晶片; 键合减薄; 热释电系数;

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