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硅/硅直接键合应力的Raman谱研究

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cqvip:介绍了Ｒａｍａｎ谱测试硅片微区应力的方法．用Ｒａｍａｎ谱研究了硅／硅直接键合工艺引入的应力，测试结果表明，高温键合后，硅片表面存在局部的张应力或压应力．应力值最高达７．５×１０￣３Ｎ／ｃｍ￣２．高温退火，应力略有降低．

著录项

来源
《应用科学学报》 |1994年第3期|223-226|共4页
作者
黄庆安; 张会珍; 陈军宁; 童勤义;
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作者单位

不详;

不详;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
应力; 散射谱; 硅; 键合;

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