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孙兴初;
无;
机译:迭代法精确提取超短沟道MOSFET的有效沟道长度和源/漏串联电阻
机译:关于Si-MOSFET的外部漏极和源极电阻的提取以及有效沟道长度
机译:一种确定小型MOSFET的有效沟道长度和漏源串联电阻的新方法
机译:在低于50 nm的MOSFET中有效沟道长度,源极/漏极电阻和电子迁移率的温度依赖性
机译:铟镓砷金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有5 nm沟道,并通过MBE再生长实现自对准源/漏。
机译:高性能矩形栅极U沟道FET的源极和漏极触点之间只有2nm的距离
机译:从小信号沟道电导测量中提取MOSFET阈值电压,串联电阻,有效沟道长度和反型迁移率
机译:减小150纳米以下沟道长度si mOsFET的沟道热电子产生的基极电流
机译:场效应管用于微处理器的存储器单元的平面型FET具有晶体硅衬底,该晶体硅衬底包括表面以及在该表面上形成的源极或漏极区域,该源极或漏极区域沿着沟道部分的长度围绕沟道部分。
机译:沟道长度非常短的MOSFET-在源极-漏极区域中使用多次注入掺杂剂,以提供突变的浅盒形掺杂剂轮廓,从而最大程度地减少穿通
机译:场效应管N沟道MOSFET器件,曾经是电子设备的可编程存储单元,其源极的掺杂比漏极高,其中从沟道到漏极的掺杂杂质浓度梯度很高
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