真空电子偶素产额法测定正电子在固体中的扩散参数

翁惠民; 郭学哲; 韩荣典; 徐纪华; 孙晓舞

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真空电子偶素产额法测定正电子在固体中的扩散参数

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本文报告一个新的实验方法,可以从实验上测定正电子在金属中的扩散参数。过去,用加电场E测正电子漂移速度V,由迁移率μ=V/E,通过关系式D_+=μKT/e求出扩散系数D_+。此法只能用于半导体和非金属材料,对于金属只能靠理论估算。本文所述真空电子偶素产额法不但适用于半导体和非金属,而且适用于金属材料。对于金属材料这也是目前唯一能用的方法。

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来源
《原子与分子物理学报》 |1990年第s1期|P.281-281|共1页
作者
翁惠民; 郭学哲; 韩荣典; 徐纪华; 孙晓舞;
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作者单位

中国科技大学近代物理系;

中国科技大学近代物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
电子偶素; 金属材料; 理论估算; 漂移速度; 实验方法; 迁移率; 电子能量; 电子漂移; 入射能量; 扩散方程;

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