光电探测器薄膜生长条件及机理分析

宋珍

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光电探测器薄膜生长条件及机理分析

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将苝四甲酸二酐(3,4,9,10-perlenetetracrboxylic dianhydride,PTCDA)真空蒸发到无机半导体p-Si衬底上,研制的p-Si/PTCDA异质结光电探测器,对光照非常敏感,是一种响应度很高的宽带光电子元器件.讨论分析了不同的衬底制备条件制备p-Si/PTCDA异质结薄膜的情况,实验结果表明,制备过程中细微的环境变化,显著影响了器件质量,通过分析成膜质量与器件内部微观机制、能带结构、载流子输运之间的关系,确定制备异质结有机薄膜的硅晶面选择,以及衬底的温度最佳的选择范围.

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来源
《北京信息科技大学学报（自然科学版）》 |2014年第3期|89-91|共3页
作者
宋珍;
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作者单位

北京信息科技大学理学院,北京100192;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;薄膜的性质;
关键词
苝四甲酸二酐; 原子力显微镜; X射线光电子能谱;

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