氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化

武明; 黄海友; 褚武扬; 乔利杰

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氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化

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通过实验和第一性原理计算的方法研究了氢致PZT-5H铁电陶瓷导电性变化的规律和机理.随着充H含量的增加,PZT-5H陶瓷的电阻率逐渐降低,当陶瓷中总H的质量分数为11.2×10-6时电阻率降至1.51×109Ω.cm,介于半导体和绝缘体之间.随着H含量进一步升高,霍尔效应表明PZT-5H陶瓷变成n型半导体.第一性原理计算表明,当进入Pb（Zr0.5-Ti0.5）O3晶格的H质量分数等于临界值（96×10-6）时,[Pb（Zr0.5Ti0.5）O3]32H系统变成了半导体;随着H含量的升高,态密度图向低能方向平移,[Pb（Zr0.5Ti0.5）O3]nH系统变成了导体.

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来源
《工程科学学报》 |2010年第6期|782-786|共5页
作者
武明; 黄海友; 褚武扬; 乔利杰;
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作者单位

北京科技大学材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电工陶瓷材料;
关键词
铁电陶瓷; 氢; 导电性; 第一性原理计算;

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