半导体器件金属化热电徒动的温度测试

孙英华; 李志国

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在金属化布线电徒动试验中，采用金属薄膜电阻测温法精确测量了样品的局部温度，在环境温度为１５０℃，电流密度为３×１０＾６Ａ／ｃｍ＾２和５×１０＾６Ａ／ｃｍ６２时，金属薄膜温度分别高于环境温度３２．５℃和１００℃；提出了扩散电阻测渐法，在电徒动试验中精确测量并适时监控样品局部温度，从而实现了电流密度指数因子动态测试。

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来源
《北京工业大学学报》 |1998年第4期|63-68|共6页
作者
孙英华; 李志国;
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作者单位

北京工业大学电子工程学系;

北京工业大学电子工程学系;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
半导体器件; 电徒动; 金属化布线; 温度测试;

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