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量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究

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摘要

本文阐述了分子束外延（ＭＢＥ）技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ设备，实现了单量子阱（ＳＱＷ）和多量子阱（ＭＱＷ）半导体激光器外延片的生长，并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。

著录项

来源
《长春光学精密机械学院学报》 |1998年第3期|15-1722|共4页
作者
刘国军; 张千勇;
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作者单位

长春光学精密机械精密学院功率半导体激光国家重点实验;

长春光学精密机械精密学院功率半导体激光国家重点实验;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类激光材料及工作物质;
关键词
分子束外延; 量子阱激光器; 半导体; 激光器材料;

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