MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较

李娜; 李宁; 陆卫; 窦红飞; 陈张海; 刘兴权; 沈学础; H.H.Tan; LanFu; C.Jagadish; M.B.Johnston; M.Gal

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用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 .

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来源
《半导体学报》 |2000年第5期|441-444|共4页
作者
李娜; 李宁; 陆卫; 窦红飞; 陈张海; 刘兴权; 沈学础; H.H.Tan; LanFu; C.Jagadish; M.B.Johnston; M.Gal;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室;

DepartmentofElectronicMaterialsEngineering;

SchoolofPhysics;

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正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
AlGaAs; 量子阱; 红外探测器; MOCVD; 砷化镓;

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