ZnO本征缺陷的第一性原理研究

罗达峰; 谭志中; 杨建华; 丁增辉

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ZnO本征缺陷的第一性原理研究

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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法对纯净ZnO和本征缺陷ZnO的电子结构进行了比较研究.结果表明:纯净ZnO中氧原子或者锌原子的减少都会使得ZnO的禁带宽度增大,O空位与Zn反位是施主缺陷,Zn空位是受主缺陷.O原子的减少,或者Zn原子的增加,都将导致Zn-Zn原子间的相互作用增强,使得Zn-3d电子态不再发生能级分裂,同时氧空位的增多将导致ZnO电导率下降.

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来源
《长春理工大学学报（自然科学版）》 |2009年第4期|565-568,576|共5页
作者
罗达峰; 谭志中; 杨建华; 丁增辉;
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作者单位

南通大学,理学院,南通,226001;

南通大学,理学院,南通,226001;

南通大学,理学院,南通,226001;

华南师范大学,物理与电信工程学院,广州,510006;

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正文语种 chi
中图分类半导体物理学;晶体缺陷;
关键词
能带结构; 电子态密度; 赝势法;

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