SiC晶须VLS生长机理及生长动力学研究

陈友存; 王启宝

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对ＶＬＳ机理下稻壳合成ＳｉＣ晶须（ＳｉＣｗ）及生长动力学进行了研究，结果表明，ＳｉＯ２与Ｃ在高温下生成ＳｉＯ的反应是ＳｉＣ晶须生长的速率控制步骤；在形成晶须的催化剂作用下，ＳｉＣ晶须的生长速率与ＳｉＯ在催化剂熔球周围的浓度成正比；ＳｉＣ晶须生长的催化选择性温度的增加而提高．复合催化剂可提高合成ＳｉＣ晶须反应速率及催化选择性。

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来源
《化学物理学报》 |1998年第3期|256-260|共5页
作者
陈友存; 王启宝;
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作者单位

安庆师范学院化学系;

安庆师范学院化学系;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类硅Si;
关键词
生长动力学; 催化剂; 稻壳; 碳化硅晶须; 合成; VLS;

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