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VLS机制生长SiC晶须研究

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摘要

采用化学气相沉积方法,以Ni薄膜为催化剂,CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须。运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响。

著录项

来源
《材料导报》 |2010年第s1期|89-90|共2页
作者
陈一峰; 刘兴钊; 邓新武;
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作者单位

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
SiC; 化学气相沉积; 晶须;

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