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一种利用界面反应制备SiC晶须的方法及SiC晶须

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本发明涉及一种利用界面反应制备SiC晶须的方法及SiC晶须，属于高性能陶瓷材料的制备技术领域。本发明的利用界面反应制备SiC晶须的方法，包括以下步骤：1)按照碳与硅的摩尔比为1.5～3:1取硅源、碳源与硼酸混合制备二氧化硅‑碳‑硼酸前驱体；所述硅源为硅酸酯或二氧化硅，所述碳源为活性炭或煤炭；2)将所得的二氧化硅‑碳‑硼酸前驱体压制成片后埋入石英砂中进行微波烧结，然后除去表面包裹的石英砂，之后采用氢氟酸清洗，即得。本发明的方法能够充分利用活性炭的吸附性能形成良好的核壳结构，采用硼酸调节前驱体pH及B2O3可以加速反应的进行，微波作用可以充分利用微波烧结的耦合热效应实现SiC晶须的快速合成。

著录项

公开/公告号CN110387583A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人郑州航空工业管理学院;
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申请/专利号CN201810350547.2
发明设计人张锐;赵彪;樊磊;张瑜萍;范冰冰;高前程;白中义;陈雷明;李春光;郭晓琴;
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申请日2018-04-18
分类号C30B29/62(20060101);C30B29/36(20060101);C30B1/10(20060101);
代理机构41119 郑州睿信知识产权代理有限公司;
代理人张兵兵
地址 450000 河南省郑州市二七区大学中路2号
入库时间 2024-02-19 13:49:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-03

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/62 申请日:20180418

实质审查的生效
2019-10-29

公开

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