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中国真空学会五届三次理事会暨学术会议

召开年：2001
召开地：北京
出版时间： 2001-10-01

主办单位：中国真空学会

会议文集：《真空科学与技术》/Vol.22 2002增刊

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1.碳纳米管阵列密度对其场发射性能的影响
- 朱亚波;王万录;廖克俊
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文具体研究了外电场、碳纳米管自身线度、尤其管的阵列密度对其场发射性能的影响.在均匀碳纳米管阵列模型下,从理论上给出碳纳米管阵列的尖端电场、电场增强因子以及最佳阵列密度的解析表示式.理论结果表明,电场增强因子的数量级为10<'2>~10<'4>,并且碳纳米管阵列的电场增强因子与其管密度之间有着敏感的依赖关系,即当密度取某一特殊值(又被称为最佳密度值)时,电场增强因子会明显增大,相对最佳密度而言,过高或过低的管密度都将削弱碳纳米管的尖端电场,进而制约管阵列的场发射性能.
2.真空冷冻干燥技术在若干高新科技领域中的应用与发展
- 徐成海;王德喜;关奎之;张世伟
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍了真空冷冻干燥技术在生物学、医学和材料科学等高新科技领域中的一些应用,探讨冻干技术发展方向和存在的问题.
3.用VLS机制制备硅纳米线的生长阶段研究
- 邢英杰;奚中和;薛增泉;俞大鹏
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：在镀Ni的Si衬底上用硅烷高温分解的方法由VLS机制制备了硅纳米线.在不同的实验条件下研究了VLS机制生长的三个阶段:结晶阶段、共熔阶段和生长阶段.特殊条件下制备的处于结晶阶段的长度仅几十纳米的硅纳米线显示硅纳米线是从催化剂颗粒中长出来的.观察到的硅纳米线的生长过程说明VLS机制在纳米尺度仍然有效,可用于各种材料纳米线的制备.
4.发光屏动态测试系统的研制
- 蒋泉;李军建;成建波
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：利用机械泵和涡轮分子泵为核心组成的发光屏动态测试系统,只需40min左右就可获得1×10<'4>Pa的真空度.由于电子枪采用了LaB<,6>阴极,可暴露于大气;并且利用光纤传输信号,连接到单色仪,信号经处理后送到微机完成光谱的自动测试.最后给出了YAG投影管用荧光粉的测试光谱.
5.真空电弧离子镀沉积Ni基合金涂层的研究
- 张海军;熊河根
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：Ni基合金涂层是我国近几年着力研究并应用于燃气轮机,飞机叶片的新型合金涂层,为扩大对Ni基合金涂层品种多元化的研究,本文研究了NiCrWTi合金涂层的常规工艺及其性能,结果表明:采用真空电弧离子镀技术沉积NiCrWTi合金涂层的组织结构致密,结合强度高,耐腐蚀性能好.
6.纳米尺度的Ag(TCNQ)薄膜的电特性
- 范智勇;陈国荣;莫晓亮;姚彦;杨剑;蔡亲佳;顾海华;华中一
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ)在STM针尖下的电特性,观察到在纳米尺度下Ag(TCNQ)从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象,阻态间的跃迁可以重复进行,其阈值电压比交叉电极"三明治"结构的情况要低得多.另外,研究了Ag(TCNQ)电存储特性,包括写入、读出和擦除特性,结果表明Ag(TCNQ)可以作为超高密度的随机存储器的材料.
7.多半波滤光片及其设计
- 黄光周;刘雄英;于继荣;杨英杰;常天海
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：介绍了简单法布里-珀珞滤光片和多半波滤光片的结构和特性,并且对两者的透射率光谱特性进行了比较.分析了多半波滤光片的特点,进行了最优化的膜系设计.文中给出了一种最优化设计的程序流程图.
8.用催化剂控制硅纳米线直径的研究
- 邢英杰;奚中和;薛增泉;俞大鹏
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文研究了固-液-固(SLS)生长机制中催化剂与硅纳米线直径的关系,发现Si片上沉积的催化剂厚度和种类对硅纳米线的直径都有一定的影响.当使用Ni做催化剂时,硅纳米线的直径与Ni膜厚度有关.其中硅纳米线的最大直径随催化剂厚度减小而减小,但最小直径基本不改变.当用Au做催化剂时,硅纳米线的平均直径和直径分布最小(10nm~20nm),但硅纳米线的直径不随Au膜厚度减小而减小.
9.直流反应溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜
- 陆峰;徐成海;裴志亮;闻立时
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文对直流磁控反应溅射法制备ZnO:Al薄膜的工艺作了具体分析,探讨了氧分压、Al含量、溅射功率和靶基距等对ZnO:Al薄膜的电学、光学性能的影响.
10.光寻址液晶光阀的吸收层
- 祁康成
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：光寻址液晶光阀是一种高分辨率空间光调制器,是高亮度、高分辨率大屏幕光寻址液晶光阀投影机的核心部件,为了避免读出光对图像对比度和分辨率的影响,光阀结构中需要一层高光吸收能力的吸收层.本文讨论了光寻址液晶光阀对光吸收层的吸收性能要求,吸收层需要在全光谱范围内都有比较强的吸收.碲化镉薄膜对蓝、绿光有较强的吸收,钒氧酞菁薄膜对红光具有较强的吸收,它们具有近似互补的吸收光谱.碲化镉和钒氧酞菁复合多层吸收薄膜综合了两种材料的光吸收特性,在全光谱范围内都有良好的吸收,是一种制作光寻址液晶光阀的吸收层的理想方法.
11.关于质谱分析不同元素同位素的讨论
- 张彤;程维娜;曾实
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：随着市场对稳定同位素需求的日益增加,要求对各种元素的同位素的检测结果要可靠,精度高.专用于铀化物的质谱仪进行了改装,调试,以适应于其他单一元素同位素及不同元素混合物的同位素的检测.本文以Xe、SF<,6>二种混合物的同位素为实例,采用改进了的质谱仪检测并对其结果给予评估.发现数据误差2﹪左右,有待进一步探索解决.
12.大型水蒸汽喷射泵系统故障诊断专家系统
- 王晓冬;巴德纯;杨乃恒;王庆;董文怀;陆阳
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：运用水蒸汽喷射泵抽气理论,结合喷射泵运行实际,分析喷射泵常见故障、可能产生的原因及处理方法,形成专家系统知识库,用产生式规则对知识进行表达;在水蒸汽喷射泵上,安装压力、温度、流量等传感器,获得所需数据,形成专家系统数据库;当喷射泵出现故障时,采用逆向推理机制从目标出发,找出故障可能产生的原因.此外,专家系统具有自学习功能,可以提高专家系统故障诊断的针对性和准确性.
13.Cr,Ca:YAG的液相外延生长及其光谱特性
- 饶海波;成建波;高涛;黄宗琳;巩华荣
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文报道了可饱和吸收体Cr,Ca:YAG的液相外延生长.对双掺杂Cr,Ca:YAG外延层的吸收特性进行了分析与讨论,发现外延层中Cr<'4+>离子的掺杂浓度是随着Ca/Cr比例的减少反而有所增加(直到Ca/Cr≈1).由于Cr离子掺杂浓度以及外延层厚度的不同,外延片在λ=1.06μm处的饱和与非饱和光透过率之差ΔT在5﹪~30﹪的范围内变化,完全满足单片式被动调Q微晶片激光器对饱和吸收体的设计要求.对位于760nm附近的新吸收峰的起源进行了讨论,并将其归属为四面体格位上Cr<'5+>离子<'2>B<,1>(<'2>E)→<'2>E(<'2>T<,2>)的电偶极允许跃迁.
14.RF高屏蔽波纹管真空室的设计与研究
- 王勇;吴冠原;尉伟
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：采用弹性指状屏蔽兼顾平滑方圆过渡RF屏蔽结构设计,有效地降低了波纹管部件的真空阻抗.测试结果表明新结构带有RF屏蔽波纹管的真空室与普通结构波纹管的(无RF屏蔽)真空室相比,其真空阻抗Z/n降低了三分之二,达到了改进设计要求.
15.高速钢刀具镀氮化碳超硬涂层研究
- 吴大维;吴越侠;曾昭元;张友珍;彭友贵;范湘军
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文采用DC反应磁控溅射和电弧离子镀相结合的方法在高速钢上沉积氮化碳-氮化钛复合膜,经X射线衍射分析,复合膜中存在α-C<,3>N<,4>和β-C<,3>N<,4>的硬质相.复合膜的显微硬度HK=(50.5-54.1)GPa,它与高速钢基体的附着力,用划痕试验测得临界载荷Lc=(40-80)N,多种刀具试用证实,该涂层具有很高的耐磨性,与未涂层和镀TiN的刀具相比,大幅度提高了刀具的耐用度.
16.3英寸YAG显示管用有机膜溶液的研制
- 杨刚;成建波;林祖伦;陈文彬;王琼华;赵纯经
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：通过分析有机膜溶液成膜的机理与条件,研制出了3英寸YAG投影管用有机膜溶液,经过大量实验证明,消除了屏花、亮度衰减太快等质量问题,采用这种有机膜溶液制作的绿色3英寸YAG投影管的最高亮度可达14000cd/m<'2>,相当于48英寸YAG投影电视,白平衡亮度可达680cd/m<'2>,水平分辨率达1000电视线,完全满足HDTV的要求.
17.ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究
- 姚吉升;唐三川;陈坚;王玺;周友元;黄军武
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文报导了ITO靶材溅射时,靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构;探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法,对改善ITO膜质有较好的参考价值.
18.PVK/TNF/DR1光折变有机薄膜的真空制备方法
- 顾海华;陈国荣;莫晓亮;范智勇;蔡亲佳;杨剑;姚彦;华中一;郑锐之;赵有源
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：用真空热压、真空"饱和蒸汽溶入"法相结合的方法成功地制备了均匀性及透光性良好的光折变高分子薄膜.由于在真空环境中制备并不使用有机溶剂,所以样品中晃存在残留溶剂和微气泡,大大改善了均匀性和耐电压特性.在双光束耦合测试中观察到了明显的光折变效应,且具有很强的电场响应特性,可得到较高的衍射效率.本方法在光学有机薄膜的制备方面有广泛的应用前景.
19.离子束辅助沉积技术制备非晶合金薄膜
- 潘峰;曾飞;赵斌
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文阐述了用离子束辅助沉积(IBAD)技术制备非晶合金薄膜的基本思路,介绍了本研究组在二元合金系统里制备非晶和亚稳晶相的研究结果.研究发现,在所选的几个系统里采用IBAD技术均实现了非晶化,还发现了某些新相形成和相演化现象,表现出与多层膜离子束混合(IM)不同的相形成规律.二元系统的形成热、组元金属的晶体结构和辅助离子束的能量对相的形成均有重要的影响.这些研究表明IBAD技术在二元合金系统中制备与研究非晶合金薄膜以及亚稳晶态薄膜方面具有很大的应用前景和理论意义.
20.彩色显像管一种类型的早期失效的机理研究
- 金志敏;徐欣;钱永生
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文介绍了一批彩显管早期失效的性能特征和对其失效原因的诊断过程.我们先后采用了残气质谱分析、慢性漏气的快速无损检测以及氦质谱检漏等技术手段来寻找失效原因;从理论上分析了这类管子的早期失效机理并对相关问题进行了讨论.彩显管的早期失效并非仅这一种类型,应该针对其性能特征来具体分析.
21.质谱分析与检漏技术在成像器件研究中的应用
- 徐江涛
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：运用四极质谱计对微光成像器件的制管工艺质量进行大量质谱分析监测,分清了各道工序污染对制管的影响.使制管工艺得到改进,使制管成品率提高了50﹪.
22.脉冲真空电弧离子源工艺参数对薄膜厚度分布的影响
- 李刚;蔡长龙;杭凌侠;严一心
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：薄膜厚度的均匀性是影响沉积方法应用的一个重要的因素.利用脉冲真空电弧离子镀技术在Si基片上沉积出类金刚石薄膜,采用轮廓仪对膜的厚度进行了测量,研究了不同工艺参数对薄膜均匀性的影响.实验结果表明:脉冲离子源阴极和基片的距离、主回路工作电压以及沉积频率对薄膜均匀性有不同程度的影响,根据分析结果,找出最佳工艺参数.通过比较两种离子源的结果表明:离子源结构对其镀膜均匀性有较大的影响.
23.2XZ-2B/4B直联旋片真空泵评介
- 何璧生
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文评介我厂2XZ-2B/4B直联泵,并与国外部分知名公司的产品进行了比较,列出了技术数据和测试结果.
24.硅尖上纳米金刚石膜场发射性质的研究
- 王蜀霞;王万录;廖克俊;朱亚波;方亮;王必本
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜,并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质.实验结果表明,硅尖上纳米金刚石膜的场发射特性与硅平观上生长的多晶金刚石膜比较,有了极大的提高.硅尖上纳米金刚石膜场发射开启电场最小为2.7V/μm,而多晶金刚石膜为4.5V/μm.利用电子隧穿模型对实验结果进行了理论分析,研究表明实验结果与理论分析相符合.
25.用残气谱研究HT-7超导托卡马克第一壁硼碳膜的吸氧性
- 方应翠
- 《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》 | 2001年
摘要：硼碳膜吸氧将导致真空室残气中水分压的降低,所以可以通过分析各种情况下真空室残气谱水分压的变化,来研究托卡马克第一壁硼碳膜的吸氧过程.残气谱分析表明硼化过程中,硼碳膜吸氧;各种等离子体轰击过程中硼碳膜吸氧;而没有等离子体轰击时如抽本底真空过程中,硼碳膜不吸氧.了解这些过程对合理使用膜有重要意义.