化学浴沉积法制备CdS多晶薄膜

何星伟; 刘伟丰; 朱长飞; 江国顺

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化学浴沉积法制备CdS多晶薄膜

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cqvip:利用化学浴沉积法制备适合于铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的CdS多晶薄膜，研究了在不同温度和不同时间下沉积薄膜的性质．薄膜生长开始由ion．by—ion机制控制，随着时间的进行，cluster．by-cluster机制占据主导．薄膜的生长速度随着沉积温度的升高而快速增加，直到达到饱和厚度．并且饱和厚度随温度升高而相应降低．SEM表明随沉积时间增加以及温度升高，薄膜表面形貌从多孔到粗糙的不均匀转变．XRD结果显示，薄膜由立方和六方两相结构组成，控制沉积时间对薄膜的主要晶相结构很关键．所有温度下沉积的CdS薄膜厚度接近100nm，透光率都达到65％以上，温度升高，吸收边存在“红移”现象．结合薄膜的两种生长机制对带隙的变化也作了简要的分析．

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来源
《化学物理学报》 |2011年第4期|P.471-476I0004|共7页
作者
何星伟; 刘伟丰; 朱长飞; 江国顺;
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作者单位

中国科学技术大学材料科学与工程系中国科学院能量转换材料重点实验室合肥230026;

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正文语种 chi
中图分类数理科学和化学;
关键词
化学浴沉积; CdS多晶薄膜; 铜铟镓硒太阳能电池; 半导体材料直接带隙;

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