基于PdSe2/GaAs异质结的高灵敏近红外光伏型探测器的制备和图像传感的应用

罗林保; 张秀星; 李辰; 李家祥; 赵兴远; 张致翔; 陈红云; 吴翟; 梁凤霞

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本文制备了一种基于PdSe2/GaAs异质结的高灵敏近红外光电探测器,该探测器是通过将多层PdSe2薄膜转移到平面GaAs上制成的.所制备的PdSe2/GaAs异质结器件在808 nm光照下表现出明显的光伏特性,这表明近红外光电探测器可以用作自驱动器件.进一步的器件分析表明,这种杂化异质结在零偏电压和808 nm光照下具有1.16×10^5的高开关比.光电探测器的响应度和比探测度分别约为171.34 mA/W和2.36×10^11 Jones.而且,该器件显示出优异的稳定性和可靠的重复性.在空气中2个月后,近红外光电探测器的光电特性几乎没有下降,这归因于PdSe2的良好稳定性.最后,基于PdSe2/GaAs的异质结器件还可以用作近红外光传感器.

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来源
《化学物理学报》 |2020年第6期|733-742|共11页
作者
罗林保; 张秀星; 李辰; 李家祥; 赵兴远; 张致翔; 陈红云; 吴翟; 梁凤霞;
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作者单位

合肥工业大学电子科学与应用物理学院;

合肥230009;

合肥工业大学材料科学与工程学院;

合肥230009;

郑州大学物理学院(微电子学院);

郑州450052;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
范德华异质结; 二维层状材料; 近红外光电探测器; 图像传感; 响应度;

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