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张祖伟; 李小飞; 袁宇鹏; 杨靖;
中电科技集团重庆声光电有限公司;
重庆400060;
声表面波; 有限元仿真; 多层结构;
机译:适用于高温应用的AlN / IDT / AlN /蓝宝石声表面波异质结构
机译:IDT / ZnO / AlN / Si配置的高频声表面波器件的制造与表征:AlN缓冲器的作用
机译:超声波设备:具有超高键的零温度与凹槽结构IDT和实验特性的声表面波基片的分析
机译:AlN / 3C-SiC / Si复合结构中的声表面波传播特性
机译:基于氧化锌和氧化镁锌锌的多层结构,用于可调声表面波装置。
机译:基于CMOS兼容AlN / SiO2 / Si多层结构的VOC Sezawa模式SAW传感器的有限元分析。
机译:alN / 128°Y-X LiNbO3结构中声表面波的传播特性
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。
机译:具有具有不同电极指间距的IDT电极的声表面波装置和使用该声表面波装置的通信装置
机译:用于远程询问压力波的压力传感器,即轮胎压力传感器,具有产生声表面波的电极结构,该声表面波根据电容器的压力相关特性值进行调制
机译:作为用于声表面波成分形成的表面声波成分和光掩模的IDT的设计方式以及表面声波成分的设计方式的生产方式,
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