首页> 中文期刊> 《通信学报》 >DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制

DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制

         

摘要

以微腔激光器的典型代表垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)为例,选择自发辐射因子为控制参数,数值模拟了大信号深度调制情形下VCSEL的非线性动力学特性,实现了类似于边缘发射激光器的分岔,周期加倍分岔,多稳和混沌状态的稳定控制,得到分岔点位置和周期轨道与控制参数的变化关系,以及相应地调制参量和自发辐射因子的取值范围,计算结果较好地拟合了文献实验结果.

著录项

  • 来源
    《通信学报》 |2004年第9期|169-174|共6页
  • 作者单位

    西南交通大学,计算机与通信工程学院,四川,成都,610031;

    电子科技大学,宽带光纤传输与通信系统技术重点实验室,四川,成都,610054;

    电子科技大学,宽带光纤传输与通信系统技术重点实验室,四川,成都,610054;

    西南交通大学,计算机与通信工程学院,四川,成都,610031;

    西南交通大学,计算机与通信工程学院,四川,成都,610031;

    西南交通大学,计算机与通信工程学院,四川,成都,610031;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体激光器;
  • 关键词

    微腔激光器; VCSEL; 自发辐射因子; 调制度; 调制频率; 分岔;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号