Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响

李冰冰; 张贺秋; 刘旭阳; 刘俊; 薛东阳; 梁红伟; 夏晓川

首页> 中文期刊> 《大连理工大学学报》 >Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响

Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

cqvip:利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20 nm/40 nm)、1∶5(20 nm/100 nm)和1∶8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800℃, Ti与Al比为1∶5的AlGaN/GaN HEMT结构形成了较好的欧姆接触.

著录项

来源
《大连理工大学学报》 |2020年第2期|137-141|共5页
作者
李冰冰; 张贺秋; 刘旭阳; 刘俊; 薛东阳; 梁红伟; 夏晓川;
展开▼
作者单位

大连理工大学微电子学院辽宁大连 116024;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类肖特基势垒栅场效应器件;
关键词
高电子迁移率晶体管; 欧姆接触; 退火; 比接触电阻率;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 多层Ti/Al电极结构对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响 [J] . 于宁 ,王红航 ,刘飞飞 . 发光学报 . 2016,第002期
2. AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展 [J] . 裴风丽 ,冯震 ,陈炳若 . 半导体技术 . 2007,第1期
3. 具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制 [J] . 刘键 ,李诚瞻 ,魏珂 . 半导体学报：英文版 . 2006,第z1期
4. 影响AlGaN/GaN/AlGaN HEMT器件2DEG的因素 [J] . 张子砚 . 电子世界 . 2018,第011期
5. 2D study of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN HEMTs' response to traps [J] . A.Hezabra ,N.A.Abdeslam ,N.Sengouga . 半导体学报：英文版 . 2019,第2期
6. 退火条件对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触特性的影响 [C] . 肖洋 ,魏珂 ,郑英奎 . 第二届全国宽禁带半导体学术会议 . -1
7. GaN基欧姆接触及AlGaN/GaN HEMT器件研究 [A] . 陆珏 . 2007

Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅