基于硫代水杨酸基电解液的纯铜电化学机械抛光反应机理研究

吴頔; 康仁科; 牛林; 潘博; 郭晓光; 郭江

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基于硫代水杨酸基电解液的纯铜电化学机械抛光反应机理研究

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随着国防和电子工业领域的发展,纯铜精密零件对表面粗糙度的要求随之提高.在硫代水杨酸(TSA)的络合作用下,电化学机械抛光(ECMP)可避免加工应力引起的变形并获得低表面粗糙度的纯铜表面,但由于TSA存在多个官能团,其与纯铜材料的反应机理难以阐明.通过对电位动态极化和ECMP试验,优化了工作电位,实现在2 V(饱和甘汞电极为参考电极)下进行ECMP,使工件表面粗糙度减少96.7％;并对试验中生成的缓蚀膜进行X射线能谱(EDS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和质谱分析,阐明了纯铜材料与TSA基电解液的反应机理,即2个TSA分子脱质子生成[C12H8(COO)2SO2]2-,[C12H8(COO)2SO2]2-转化为[C14H8O6S]4-,然后[C14H8O6S]4-与铜离子结合形成配位化合物[C14H8O6SCu]2-;此外,在反应产物中检测到[C12H8(COOH)2S2](二硫代水杨酸,DTSA)的存在,为快速合成DTSA提供了新的可能.

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来源
《大连理工大学学报》 |2021年第3期|221-226|共6页
作者
吴頔; 康仁科; 牛林; 潘博; 郭晓光; 郭江;
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作者单位

大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连 116024;

大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连 116024;

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大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连 116024;

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正文语种 chi
中图分类电化学加工机床及其加工;
关键词
硫代水杨酸; 电化学机械抛光; 铜; 反应机理;

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