纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究

夏磊; 周荃; 徐金洲; 张菁

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纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究

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采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400 nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100:1:1的体积比进行配比的SiH<,4>:H<,2>: Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用.

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来源
《东华大学学报（自然科学版）》 |2008年第1期|117-121|共5页
作者
夏磊; 周荃; 徐金洲; 张菁;
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作者单位

东华大学,理学院,上海,201620;

东华大学,理学院,上海,201620;

东华大学,理学院,上海,201620;

东华大学,理学院,上海,201620;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类等离子体物理的应用;
关键词
常压等离子体化学气相沉积(APECVD); 多孔硅基薄膜; 负偏压; 荧光(PL);

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