中频磁控反应溅射制备c轴择优取向AlN薄膜

汪振中; 褚夫同; 刘兴钊

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中频磁控反应溅射制备c轴择优取向AlN薄膜

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通过中频磁控反应溅射,在Si（100）衬底上沉积AlN薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱表征AlN薄膜的微观特征。实验中,研究了氮分压、靶基距、溅射功率对AlN薄膜质量的影响,并优化参数制备高质量的c轴取向的AlN薄膜。结果表明,提高溅射功率、降低靶基距以及降低氮分压,有利于c轴择优取向AlN的生长。在优化条件下制备的AlN薄膜具有高度c轴取向,（002）摇摆曲线的半高宽为5.7°,Raman光谱E2（high）声子峰的FWHM为13.8cm-1。

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来源
《功能材料》 |2010年第A03期|P.449-451|共3页
作者
汪振中; 褚夫同; 刘兴钊;
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作者单位

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
AlN; 中频反应溅射; Raman光谱;

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