纯氮气反应溅射c-轴择优取向AIN薄膜的制备及性质研究

杨世才; 阿布都艾则孜.阿布来提; 简基康; 郑毓峰; 孙言飞; 吴荣

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在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2nm.X射线衍射图谱表明:可以在衬底温度为180°条件下沉积出具有c-轴择优取向的纤锌矿氮化铝薄膜,衬底温度的增加有利于薄膜结晶性的改善.由紫外-可见光透射谱计算得到薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为1μm、光学能隙为6.1eV.

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来源
《新疆大学学报：自然科学版(中英文)》 |2009年第4期|444-449|共6页
作者
杨世才; 阿布都艾则孜.阿布来提; 简基康; 郑毓峰; 孙言飞; 吴荣;
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作者单位

新疆大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;薄膜技术;
关键词
氮化铝; 磁控反应溅射; 择优取向; 纯氮气;

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