c轴择优取向AlN薄膜的制备研究

宁金叶; 刘兴钊; 邓新武

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c轴择优取向AlN薄膜的制备研究

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摘要

采用MOCVD法在蓝宝石(0001)单晶衬底上生长AlN压电薄膜.用XRD和原子力显微(AFM)技术表征薄膜的微观结构.研究了衬底温度、TMA和NH3流量、反应室气压对AlN薄膜织构特性的影响,并对薄膜生长的工艺参数进行了相应优化.结果表明:在优化条件下制备的AlN薄膜高度c轴择优取向,(0002)峰摇摆曲线半高宽仅为0.10°,且薄膜表面平整,椭圆偏振法测出其折射率为2.0～2.4.

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来源
《电子元件与材料》 |2009年第5期|36-38|共3页
作者
宁金叶; 刘兴钊; 邓新武;
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作者单位

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
AlN; MOCVD; 压电薄膜;

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